深層次了解下邊的結論對結構設計是非常關鍵的。

1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實際上的金屬材料無法兼顧這兩個層面，比如銅的導電性不錯，可是導磁性很差；鐵的導磁性不錯，可是導電性比較差。應當選用什么材料，按照實際屏蔽主要是依賴反射損耗、或是吸收損耗來確定是偏重于導電性或是導磁性；

2）頻率較低的情況下，吸收損耗不大，反射損耗是屏蔽效能的主要是機理，要盡可能提升反射損耗；

3）反射損耗與輻射源的特點有關，對電場輻射源，反射損耗很大；對磁場輻射源，反射損耗不大。因而，對磁場輻射源的屏蔽主要是借助材料的吸收損耗，應當選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。

4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關，對電場輻射源，距離越近的，則反射損耗越大；對磁場輻射源，距離越近的，則反射損耗越小；合理分辨輻射源的性質，確定它應當靠近屏蔽體，或是原理屏蔽體，是結構設計的一個關鍵具體內容。

5）頻率較高時，吸收損耗是主要是的屏蔽機理，這時候與輻射源是電場輻射源或是磁場輻射源沒有太大的關系。

6）電場波是最容易屏蔽的，平面波次之，磁場波是最不容易屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場，難以屏蔽。對低頻磁場，要選用高導磁性材料屏蔽，影響到屏蔽材料的多種要素乃至選用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。

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